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电阻系数小，耐腐蚀，易于精密机等优点。本发明具有积极的效果(1)本发明的直拉式单晶生长炉中，经氩气 输入管输入的氩气气压为0. 8 x 103pa0. 9 x l03Pa，氩气流量为30L/min。 该氩气流量不但不影响该炉中单晶的生长，平均每个直拉式单晶生长炉每 天可少消耗1440L氩气，有效降低了生产成本，且利于在硅单晶生长过程 中单晶分子排列结构的整齐性，还利于提高电阻率的均布性。

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这种软关方式可以显着地减小关损耗，以及关过程中激起的振荡，使关频率可以大幅度提高，为转换器的小型化和模块化创造了条件。率场效应管（MOSFET）是应用较多的关器件，它有较高的关速度，但同时也有较大的寄生电容。它关断时，在外电压的作用下，其寄生电容充满电，如果在其通前不将这一部分电荷放掉，则将消耗于器件内部，这是容性通损耗。一般为75～300mm，这个过程称为放肩，接着，突然提高拉速进行转肩作，使肩部近似直角，然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度，生长出一定直径规格大小的单晶柱体，后，待大部分硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体，称为收尾工艺。这样一个单晶拉制过程基本完成，进行一定的保温冷却后可以取出。