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? 炉盖：副室连接法兰，翻板阀，观察窗 抽真空管道 组成晶体便会在籽晶下端生长，接着，控制籽晶生长出一段长为100mm左右，直径为3～5mm的细颈，用于高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错，这个过程是引晶。慢慢向上拉籽晶。通过石墨加热器产生的高温将其熔化，然后，对熔化的硅液稍降温，使之产生一定的过冷度，再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体（称作籽晶）插入熔体表面。把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚原理简介首先待籽晶与熔体熔和后随后生长出一定直径规格大小的单晶柱体。具有自主知识产权。生产 TDR—JN系列全自动晶体生长炉具有自主知识产权，是采用直拉法生长P型或N型单晶硅材料的专用设备。容易控制单晶中杂质浓度，可以低电阻率单晶。
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