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也叫切克劳斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法上硅单晶的产量中70%～80%是用直拉法生产的。再由齿轮齿条机构带动的。在单晶炉中，要求提拉单晶硅的提拉杆不仅能以某一期望线速度V向上(下)运动，而且当提拉负载增大引起线速度为零时，提拉杆能保持其后位置而不上下滑动。对晶体的提拉速度有十分严格的要求，从某种程度上讲提拉速度的控制好坏将直接影响到晶体的质量。对单晶硅生产过程中的提拉速度控制系统进行研究有实际意义。对提拉控制系统提出的主要技术指标是，提拉速度在0.2～10.0mm/h范围之内实现无级可调，线性精度大于±2%。生产集成电路所需要的单晶硅，是在硅结晶生长始时。
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加热后工件随炉冷却 C． 井式炉 D． 罩式炉（主要用于退火，加热罩可吊移） E． 底升式罩式炉（罩子固定，升降底座，适用于大型炉子）F． 转筒式炉 G． 密封箱式炉（又称为多用炉，可进行渗碳，光洁淬火，碳氮共渗等热工艺。采用辐射管加热，辐射管是由耐火陶瓷盘固定的电阻丝装于一个密封耐热钢管中。用作退火之用周期式电阻炉的分类A． 箱式炉 B． 台车炉（分为自行式和牵引式）这样的结构使炉内气氛对加热元件不会有影响）。与线性电源相比，PWM关电源更为有效的工作过程是通过“斩波”，即把输入的直流电压斩成幅值等于输入电压幅值的脉冲电压来实现的。脉冲的占空比由关电源的控制器来调节。一旦输入电压被斩成交流方波，其幅值可以通过变压器来升高或降低。通过增加变压器的二次绕组数可以增加输出的电压值。后这些交流波形经过整流滤波后得到直流输出电压。
